MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8 (SQJ262EP-T1_GE3)

Part Number: SQJ262EP-T1_GE3


Documents / Media: datasheets SQJ262EP-T1_GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора: Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 40A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
  • Мощность: 27W (Tc), 48W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

Цена по запросу