MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A (NTHD3102CT1G)
Part Number: NTHD3102CT1G
Documents / Media: datasheets NTHD3102CT1G
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N and P-Channel
- Особенности полевого транзистора: Logic Level Gate
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 510pF @ 10V
- Мощность: 1.1W
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 8-SMD, Flat Lead
- Исполнение корпуса: ChipFET™
Цена по запросу