MOSFET N-CH 25V 45A PQFN (IRFH5250TR2PBF)

Part Number: IRFH5250TR2PBF


Documents / Media: datasheets IRFH5250TR2PBF


Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.35V @ 150µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 7174pF @ 13V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PQFN (5x6)
  • Корпус: 8-VQFN

Цена по запросу