IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN (IRFH5250TR2PBF)
Part Number: IRFH5250TR2PBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Cut Tape (CT) Alternate Packaging
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 25V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 50A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.35V @ 150µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 7174pF @ 13V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.6W (Ta), 160W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PQFN (5x6)
- Корпус: 8-VQFN
Цена по запросу