Sanyo Semiconductor / ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35 (1N485BTR)
Part Number: 1N485BTR
Documents / Media: datasheets 1N485BTR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 200V
- Прямой ток (If) (Max): 200mA
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1V @ 100mA
- Скорость: Small Signal =
- Время восстановления запорного слоя (trr): -
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 25nA @ 175V
- Емкость @ Vr, F: -
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: DO-204AH, DO-35, Axial
- Исполнение корпуса: DO-35
- Рабочая температура pn-прехода: 175°C (Max)
Цена по запросу