Micron Technology
IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ (MT47H64M8SH-25E AAT:H)
Part Number: MT47H64M8SH-25E AAT:H
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - DDR2
- Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
- Скорость: 400MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
- Время доступа: 400ps
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.7 V ~ 1.9 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Вид монтажа: -
- Корпус: -
- Исполнение корпуса: -
Цена по запросу