Global Power Technologies Group
SILICON IGBT MODULES (GSID150A120S6A4)
Part Number: GSID150A120S6A4
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Серия: Amp+™
- Состояние детали: Active
- Тип IGBT: -
- Конфигурация: Single
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 1200V
- Максимальный Ток Коллектора (Ic): 275A
- Мощность: 1035W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
- Обратный ток коллектора (Max): 1mA
- Входная емкость (Cies) @ Vce: 20.2nF @ 25V
- Input: Standard
- NTC Thermistor: Yes
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Module
- Исполнение корпуса: Module
Цена по запросу