MOSFET N-CH 8DFN

MOSFET N-CH 8DFN (AO6085N03)

Part Number: AO6085N03

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: -
  • Серия: -
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1380pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.9W (Ta), 31W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: 8-DFN (5x6)
  • Корпус: 8-VDFN Exposed Pad

Цена по запросу