GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 7A TO-257 (2N7637-GA)
Part Number: 2N7637-GA
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: -
- Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc) (165°C)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 7A
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: -
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
- Vgs (Max): -
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 720pF @ 35V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 80W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 225°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-257
- Корпус: TO-257-3
Цена по запросу