MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8 (SI7886ADP-T1-GE3)

Part Number: SI7886ADP-T1-GE3


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 60nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±12V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6450pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 1.9W (Ta)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8
  • Корпус: PowerPAK® SO-8

Цена по запросу