MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP

MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP (IRFD9123PBF)

Part Number: IRFD9123PBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: -
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 600mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (Max): -
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 390pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): -
  • Рабочая температура: -
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: 4-HVMDIP
  • Корпус: 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Цена по запросу