MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN

MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN (IRF6644TR1)

Part Number: IRF6644TR1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.8V @ 150µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2210pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: DIRECTFET™ MN
  • Корпус: DirectFET™ Isometric MN

Цена по запросу