IR (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 (BSC200P03LSGAUMA1)
Part Number: BSC200P03LSGAUMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.2V @ 100µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 48.5nC @ 10V
- Vgs (Max): ±25V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2430pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.5W (Ta), 63W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TDSON-8
- Корпус: 8-PowerTDFN
Цена по запросу