MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN

MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN (IRFH5301TR2PBF)

Part Number: IRFH5301TR2PBF

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Cut Tape (CT) Alternate Packaging
  • Серия: HEXFET®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85 mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.35V @ 100µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5114pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.6W (Ta), 110W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PQFN (5x6) Single Die
  • Корпус: 8-PowerVDFN

Цена по запросу