Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN (2SK2995(F))
Part Number: 2SK2995(F)
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 250V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 15A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 132nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5400pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 90W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-3P(N)IS
- Корпус: TO-3P-3, SC-65-3
Цена по запросу