MOSFET N-CH 650V TO-220-3

MOSFET N-CH 650V TO-220-3 (IPP65R190CFDAAKSA1)

Part Number: IPP65R190CFDAAKSA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 700µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 151W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO-220-3
  • Корпус: TO-220-3

Цена по запросу