ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 (RCD050N20TL)
Part Number: RCD050N20TL
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Not For New Designs
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 618 mOhm @ 2.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5.25V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 9nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 380pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 20W (Tc)
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: CPT3
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу