IR (Infineon Technologies)
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 (BSD314SPEH6327XTSA1)
Part Number: BSD314SPEH6327XTSA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 6.3µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 2.9nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 294pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 500mW (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-SOT363-6
- Корпус: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
7 р.