DIFFERENTIATED MOSFETS

DIFFERENTIATED MOSFETS (BSC014N06NSTATMA1)

Part Number: BSC014N06NSTATMA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.3V @ 120µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 104nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 8125pF @ 30V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3W (Ta), 188W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PG-TDSON-8 FL
  • Корпус: 8-PowerTDFN

Цена по запросу