MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3

MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 (IPI029N06NAKSA1)

Part Number: IPI029N06NAKSA1

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: OptiMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.8V @ 75µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 4100pF @ 30V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3W (Ta), 136W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO262-3
  • Корпус: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Цена по запросу