MOSFET N-CH 800V TO-220-3 (IPA80R1K0CEXKSA2)

Part Number: IPA80R1K0CEXKSA2


Documents / Media: datasheets отсутствует


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tube
  • Серия: CoolMOS™ CE
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.9V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 785pF @ 100V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 32W (Tc)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO220-FP
  • Корпус: TO-220-3 Full Pack

Цена по запросу