MOSFET N-CH 200V 20A DPAK

MOSFET N-CH 200V 20A DPAK (PSMN130-200D,118)

Part Number: PSMN130-200D,118

Documents / Media: datasheets отсутствует

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: TrenchMOS™
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2470pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 150W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: DPAK
  • Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Цена по запросу