IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK (IRLU120NPBF)
Part Number: IRLU120NPBF
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: HEXFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 100V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V
- Vgs (Max): ±16V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 48W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: IPAK (TO-251)
- Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
25 р.