IR (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 (IPB010N06NATMA1)
Part Number: IPB010N06NATMA1
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: OptiMOS™
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 100A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 280µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 208nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 15000pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 300W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PG-TO263-7
- Корпус: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
358 р.