TSC (Taiwan Semiconductor)
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA (RS1JL RHG)
Part Number: RS1JL RHG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 800mA
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.3V @ 800mA
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 250ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 5µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: DO-219AB
- Исполнение корпуса: Sub SMA
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 150°C
Цена по запросу