GeneSiC Semiconductor
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 (GB01SLT12-252)
Part Number: GB01SLT12-252
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 1200V
- Прямой ток (If) (Max): 1A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.8V @ 1A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 0ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 2µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Исполнение корпуса: TO-252
- Рабочая температура pn-прехода: -55°C ~ 175°C
Цена по запросу