GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER (MURT20010)
Part Number: MURT20010
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Тип диода: Standard
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 100V
- Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод): 200A (DC)
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.3V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery = 200mA (Io)
- Время восстановления запорного слоя (trr): 75ns
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 25µA @ 50V
- Рабочая температура pn-прехода: -
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Корпус: Three Tower
- Исполнение корпуса: Three Tower
Цена по запросу