GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 2A 600V 1PH KBP (KBP206G)
Part Number: KBP206G
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 2A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1.1V @ 2A
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 600V
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 4-SIP, KBP
- Исполнение корпуса: KBP
1 р.