GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 8A KBU (KBU8J)
Part Number: KBU8J
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Bulk
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип диода: Single Phase
- Технология: Standard
- Обратное Напряжение (Макс): 600V
- Прямой ток (If) (Max): 8A
- Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If: 1V @ 8A
- Ток утечки при Обратном напряжении (Vr): 10µA @ 600V
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Корпус: 4-SIP, KBU
- Исполнение корпуса: KBU
Цена по запросу