MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB (SUP60N06-12P-GE3)
Part Number: SUP60N06-12P-GE3
Documents / Media: datasheets SUP60N06-12P-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1970pF @ 30V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.25W (Ta), 100W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220AB
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу