MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB (SUP57N20-33-E3)
Part Number: SUP57N20-33-E3
Documents / Media: datasheets SUP57N20-33-E3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 30A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5100pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220AB
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу