MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB (SUP53P06-20-GE3)
Part Number: SUP53P06-20-GE3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Obsolete
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 30A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3500pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220AB
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу