MOSFET N-CH 200V 19A DPAK (SUD19N20-90-E3)
Part Number: SUD19N20-90-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 51nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3W (Ta), 136W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-252, (D-Pak)
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу