MOSFET P-CH 60V 20A TO252 (SQD19P06-60L_GE3)
Part Number: SQD19P06-60L_GE3
Documents / Media: datasheets SQD19P06-60L_GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 60V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 19A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1490pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 46W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-252, (D-Pak)
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу