MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP (SQ3419AEEV-T1_GE3)
Part Number: SQ3419AEEV-T1_GE3
Documents / Media: datasheets SQ3419AEEV-T1_GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 2.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 975pF @ 20V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 5W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 6-TSOP
- Корпус: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Цена по запросу