MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 (SQ2325ES-T1_GE3)
Part Number: SQ2325ES-T1_GE3
Documents / Media: datasheets SQ2325ES-T1_GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 150V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77 Ohm @ 500mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 250pF @ 50V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TA)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-236 (SOT-23)
- Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Цена по запросу