MOSFET P-CHAN 12V SOT23 (SQ2315ES-T1_GE3)

Part Number: SQ2315ES-T1_GE3


Documents / Media: datasheets SQ2315ES-T1_GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
  • Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Состояние детали: Active
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 870pF @ 4V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 2W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Цена по запросу