MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8 (SIS439DNT-T1-GE3)

Part Number: SIS439DNT-T1-GE3


Documents / Media: datasheets SIS439DNT-T1-GE3


Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: TrenchFET®
  • Состояние детали: Last Time Buy
  • Тип полевого транзистора: P-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.8V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2135pF @ 15V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
  • Рабочая температура: -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Surface Mount
  • Исполнение корпуса: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • Корпус: PowerPAK® 1212-8S

Цена по запросу