MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8 (SIR872DP-T1-GE3)
Part Number: SIR872DP-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIR872DP-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 150V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 3.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 64nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 75V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8
- Корпус: PowerPAK® SO-8
Цена по запросу