MOSFET N-CHAN 800V TO-251 (SIHU6N80E-GE3)
Part Number: SIHU6N80E-GE3
Documents / Media: datasheets SIHU6N80E-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: E
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 827pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 78W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: IPAK (TO-251)
- Корпус: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Цена по запросу