MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK (SIHU3N50D-E3)
Part Number: SIHU3N50D-E3
Documents / Media: datasheets SIHU3N50D-E3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 500V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 175pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 69W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-251AA
- Корпус: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Цена по запросу