MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB (SIHP6N65E-GE3)
Part Number: SIHP6N65E-GE3
Documents / Media: datasheets SIHP6N65E-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 820pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 78W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220AB
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу