MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB (SIHP12N60E-GE3)
Part Number: SIHP12N60E-GE3
Documents / Media: datasheets SIHP12N60E-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: E
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 937pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 147W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-220AB
- Корпус: TO-220-3
Цена по запросу