MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC (SIHG47N65E-GE3)
Part Number: SIHG47N65E-GE3
Documents / Media: datasheets SIHG47N65E-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tube
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 650V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 24A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 273nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5682pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 417W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Through Hole
- Исполнение корпуса: TO-247AC
- Корпус: TO-247-3
Цена по запросу