MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA (SIHD7N60ET4-GE3)
Part Number: SIHD7N60ET4-GE3
Documents / Media: datasheets SIHD7N60ET4-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: -
- Серия: E
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 600V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 680pF @ 100V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 78W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: TO-252AA
- Корпус: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Цена по запросу