MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK (SIE802DF-T1-E3)
Part Number: SIE802DF-T1-E3
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 30V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 23.6A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 2.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 7000pF @ 15V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 10-PolarPAK® (L)
- Корпус: 10-PolarPAK® (L)
Цена по запросу