MOSFET P-CH 20V 12A SC-70 (SIA445EDJ-T1-GE3)
Part Number: SIA445EDJ-T1-GE3
Documents / Media: datasheets SIA445EDJ-T1-GE3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: P-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 20V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 7A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 72nC @ 10V
- Vgs (Max): ±12V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 10V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SC-70-6 Single
- Корпус: PowerPAK® SC-70-6
Цена по запросу