MOSFET N-CH 8V MICROFOOT (SI8424CDB-T1-E1)
Part Number: SI8424CDB-T1-E1
Documents / Media: datasheets SI8424CDB-T1-E1
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 8V
- Ток стока (Id) @ 25°C: -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 2A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 800mV @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±5V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2340pF @ 4V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 4-Microfoot
- Корпус: 4-UFBGA, WLCSP
Цена по запросу