MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 (SI7858ADP-T1-E3)
Part Number: SI7858ADP-T1-E3
Documents / Media: datasheets SI7858ADP-T1-E3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 12V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 29A, 4.5V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 80nC @ 4.5V
- Vgs (Max): ±8V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5700pF @ 6V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.9W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8
- Корпус: PowerPAK® SO-8
Цена по запросу