MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 (SI7450DP-T1-E3)
Part Number: SI7450DP-T1-E3
Documents / Media: datasheets SI7450DP-T1-E3
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: TrenchFET®
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 42nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: -
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 1.9W (Ta)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: PowerPAK® SO-8
- Корпус: PowerPAK® SO-8
Цена по запросу